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SK 海力士在 2023 年闪存峰会 (FMS) 上占据了中心舞台，揭开了 NAND 技术的一个非凡里程碑。该公司展示了其尖端的321层4D NAND内存，标志着向业界首款拥有超过300层的NAND解决方案迈出了一大步。

在 FMS 2023 的演讲中，SK 海力士深入探讨了其开创性的 321 层 1Tb TLC1 4D NAND 闪存的进展。与会者亲眼目睹了突破性的样品，突显了该公司在突破 NAND 开发界限方面的实力。这一重大事件于 8 月 8 日至 10 日在圣克拉拉举行。

SK 海力士凭借在全球最高容量 238 层 NAND 开发过程中积累的技术专长(现已投入大规模生产)，为 321 层变体制定了快速发展路线。这一战略突破克服了堆叠限制，推动 SK 海力士进入 300 层以上 NAND 时代，有望引领市场前进。

与前代产品相比，321 层 1Tb TLC NAND 的生产率提高了 59%。这一飞跃归功于技术进步，可以在单个芯片上实现更多的单元堆叠和扩展的存储容量。结果?单片晶圆总产能大幅提升。

即将推出的内存模块将用于 PCIe 5.0 SSD，如公告中所示。SK 海力士的目标是完善 321 层 NAND 存储器，并在 2025 年上半年开始大规模生产这项新技术。

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